Программирование флэш-памяти MICROCHIP PIC24

Информация о продукте

Флэш-программирование
Семейства устройств dsPIC33/PIC24 имеют внутреннюю программируемую флэш-память программ для выполнения пользовательского кода. Существует до трех способов программирования этой памяти:

• Таблица Инструкция Операция
• Внутрисхемное последовательное программирование (ICSP)
• Программирование внутри приложения (IAP)

Табличные инструкции обеспечивают метод передачи данных между областью памяти программ Flash и областью памяти данных устройств dsPIC33/PIC24. Инструкция TBLRDL используется для чтения из битов [15:0] пространства памяти программы. Инструкция TBLWTL используется для записи в биты [15:0] области флэш-памяти программ. TBLRDL и TBLWTL могут обращаться к флэш-памяти программ в режиме слов или байтов.

В дополнение к адресу флэш-памяти программы табличная инструкция также указывает регистр W (или указатель регистра W на ячейку памяти), который является источником записываемых данных флэш-памяти программы или местом назначения для программы флэш-памяти. память читается.

В этом разделе описывается метод программирования флэш-памяти программ. Семейства устройств dsPIC33/PIC24 имеют внутреннюю программируемую флэш-память программ для выполнения пользовательского кода. Существует до трех способов программирования этой памяти:

• Самопрограммирование во время выполнения (RTSP)
• Внутрисхемное последовательное программирование™ (ICSP™)
• Расширенное внутрисхемное последовательное программирование (EICSP)

RTSP выполняется прикладным программным обеспечением во время выполнения, в то время как ICSP и EICSP выполняются внешним программатором с использованием последовательного подключения данных к устройству. ICSP и EICSP позволяют программировать гораздо быстрее, чем RTSP. Методы RTSP описаны в разделе 4.0 «Самопрограммирование во время выполнения (RTSP)». Протоколы ICSP и EICSP определены в документах Спецификации программирования для соответствующих устройств, которые можно загрузить с сайта Microchip. webсайт (http://www.microchip.com). При программировании на языке C доступны несколько встроенных функций, упрощающих программирование на Flash. Подробную информацию о встроенных функциях см. в «Руководстве пользователя MPLAB® XC16 C Compiler» (DS50002071).

Инструкции по применению продукта

Чтобы запрограммировать флэш-память программ, выполните следующие действия:

1. Обратитесь к техническому описанию устройства, чтобы проверить, поддерживает ли раздел справочного руководства семейства используемое вами устройство.
2. Загрузите лист технических данных устройства и разделы справочного руководства по семейству с веб-сайта Microchip Worldwide. Webсайт по адресу: http://www.microchip.com.
3. Выберите один из трех методов программирования памяти (операция с табличными инструкциями, внутрисхемное последовательное программирование (ICSP), программирование в приложении (IAP)).
4. При использовании операций с табличными инструкциями используйте инструкцию TBLRDL для чтения из битов [15:0] области памяти программ и инструкцию TBLWTL для записи в биты [15:0] области флэш-памяти программ.
5. Обязательно укажите регистр W (или указатель регистра W на ячейку памяти) в качестве источника данных флэш-памяти программ, которые должны быть записаны, или места назначения для чтения флэш-памяти программ.

Для получения дополнительной информации и подробностей о программировании флэш-памяти программ обратитесь к справочному руководству по семейству dsPIC33/PIC24.

ТАБЛИЦА ИНСТРУКЦИЯ ЭКСПЛУАТАЦИЯ

Инструкции таблицы обеспечивают метод передачи данных между областью флэш-памяти программ и областью памяти данных устройств dsPIC33/PIC24. В этом разделе приводится сводка табличных инструкций, используемых при программировании флэш-памяти программ. Существует четыре основных инструкции по работе с таблицами:

• ТБЛРДЛ: Низкий уровень чтения таблицы
• ТБЛРДХ: Таблица чтения высокая
• ТБЛВТЛ: Низкая запись таблицы
• ТББ: Запись в таблицу с высоким уровнем

Инструкция TBLRDL используется для чтения из битов [15:0] пространства памяти программы. Инструкция TBLWTL используется для записи в биты [15:0] области флэш-памяти программ. TBLRDL и TBLWTL могут обращаться к флэш-памяти программ в режиме слов или байтов.

Инструкции TBLRDH и TBLWTH используются для чтения или записи в биты [23:16] области памяти программы. TBLRDH и TBLWTH могут обращаться к флэш-памяти программ в режиме Word или Byte. Поскольку флэш-память программ имеет ширину всего 24 бита, инструкции TBLRDH и TBLWTH могут обращаться к несуществующему старшему байту флэш-памяти программ. Этот байт называется «фиктивным байтом». Любое чтение фиктивного байта вернет 0x00. Запись в фиктивный байт не имеет никакого эффекта. 24-битная флэш-память программ может рассматриваться как два расположенных рядом 16-битных пространства, каждое из которых использует один и тот же диапазон адресов. Следовательно, инструкции TBLRDL и TBLWTL обращаются к «младшей» области памяти программ (PM[15:0]). Инструкции TBLRDH и TBLWTH обращаются к «старшему» пространству памяти программ (PM[31:16]). Любые операции чтения или записи в PM[31:24] будут обращаться к фантомному (нереализованному) байту. Когда любая из табличных инструкций используется в байтовом режиме, младший значащий бит (LSb) адреса таблицы будет использоваться в качестве бита выбора байта. Младший бит определяет, к какому байту старшего или младшего пространства памяти программ осуществляется доступ.

На рис. 2-1 показано, как адресация флэш-памяти программ осуществляется с помощью табличных инструкций. 24-битный адрес памяти программ формируется с использованием битов [7:0] регистра TBLPAG и эффективного адреса (EA) из регистра W, указанного в табличной инструкции. 24-битный программный счетчик (ПК) показан на рис. 2-1 для справки. Старшие 23 бита EA используются для выбора места в памяти программ Flash.

Для инструкций таблицы байтового режима младший бит регистра W EA используется для выбора, к какому байту 16-битного слова флэш-памяти программ обращаться; '1' выбирает биты [15:8], а '0' выбирает биты [7:0]. Младший бит регистра W EA игнорируется для табличной инструкции в режиме Word. В дополнение к адресу флэш-памяти программы табличная инструкция также указывает регистр W (или указатель регистра W на ячейку памяти), который является источником записываемых данных флэш-памяти программы или местом назначения для программы флэш-памяти. память читается. Для операции записи таблицы в байтовом режиме биты [15:8] исходного рабочего регистра игнорируются.

Использование инструкций чтения таблицы
Чтение таблицы требует двух шагов:

1. Указатель адреса устанавливается с помощью регистра TBLPAG и одного из регистров W.
2. Содержимое флэш-памяти программ в адресной ячейке может быть прочитано.

 

1. ЧИТАТЬ СЛОВО РЕЖИМ
   Код, показанный в упр.ampле 2-1 и ExampНа рис. 2-2 показано, как прочитать слово из флэш-памяти программ, используя табличные инструкции в режиме Word.
2. РЕЖИМ ЧТЕНИЯ БАЙТА
   Код, показанный в упр.ample 2-3 показывает оператор пост-инкремента при чтении младшего байта, который заставляет адрес в рабочем регистре увеличиваться на единицу. Это устанавливает EA[0] в '1' для доступа к среднему байту в третьей инструкции записи. Последнее постинкрементное значение возвращает W0 к четному адресу, указывающему на следующую ячейку флэш-памяти программы.
3. ЗАЩЕЛКИ ДЛЯ ЗАПИСИ СТОЛА
   Инструкции записи таблицы не записывают непосредственно в энергонезависимую память программ. Вместо этого инструкции записи таблицы загружают защелки записи, в которых хранятся данные записи. Регистры адреса NVM должны быть загружены первым адресом, по которому должны быть записаны зафиксированные данные. Когда все защелки записи загружены, начинается фактическая операция программирования памяти путем выполнения специальной последовательности инструкций. Во время программирования аппаратное обеспечение передает данные из защелок записи во флэш-память. Защелки записи всегда начинаются с адреса 0xFA0000 и расширяются до 0xFA0002 для словного программирования или до 0xFA00FE для устройств с строковым программированием.

Примечание: Количество защелок записи зависит от устройства. Количество доступных защелок записи см. в главе «Флэш-память программ» в описании конкретного устройства.

РЕГИСТРЫ УПРАВЛЕНИЯ

Несколько регистров специальных функций (SFR) используются для программирования операций стирания и записи программной флэш-памяти: NVMCON, NVMKEY и адресные регистры NVM, NVMADR и NVMADRU.

Регистрация NVMCON
Регистр NVMCON является основным управляющим регистром для операций флэш-памяти и программирования/стирания. Этот регистр выбирает, будет ли выполняться операция стирания или программы, и может запускать цикл программы или стирания. Регистр NVMCON показан в регистре 3-1. Младший байт NVMCON настраивает тип выполняемой операции NVM.

Регистрация NVMKEY
Регистр NVMKEY (см. регистры 3-4) предназначен только для записи и используется для предотвращения случайных записей NVMCON, которые могут повредить флэш-память. После разблокировки разрешена запись в NVMCON в течение одного командного цикла, в котором бит WR может быть установлен для вызова процедуры стирания или программирования. Учитывая требования к времени, необходимо запретить прерывания.
Выполните следующие шаги, чтобы начать стирание или программирование последовательности:

1. Отключите прерывания.
2. Запишите 0x55 в NVMKEY.
3. Запишите 0xAA в NVMKEY.
4. Запустите цикл записи программирования, установив бит WR (NVMCON[15]).
5. Выполните две инструкции NOP.
6. Восстановить прерывания.

ОТКЛЮЧЕНИЕ ПРЕРЫВАНИЙ
Отключение прерываний требуется для всех операций с флэш-памятью, чтобы обеспечить успешный результат. Если прерывание происходит во время последовательности разблокировки NVMKEY, оно может заблокировать запись в бит WR. Последовательность разблокировки NVMKEY должна выполняться без перерыва, как описано в разделе 3.2 «Регистрация NVMKEY».

Прерывания могут быть отключены одним из двух способов: путем отключения глобального разрешения прерывания (бит GIE) или с помощью инструкции DISI. Инструкция DISI не рекомендуется, так как она запрещает только прерывания с приоритетом 6 или ниже; поэтому следует использовать метод Global Interrupt Enable.

Запись ЦП в GIE занимает два цикла инструкций, прежде чем повлиять на поток кода. Две инструкции NOP необходимы впоследствии или могут быть заменены любыми другими полезными рабочими инструкциями, такими как загрузка NVMKEY; это применимо как к set, так и к clear операциям. Следует проявлять осторожность при повторном включении прерываний, чтобы целевая подпрограмма NVM не разрешала прерывания, когда предыдущая вызванная функция отключила их по другим причинам. Чтобы решить эту проблему в сборке, можно использовать извлечение и извлечение стека для сохранения состояния бита GIE. В C переменная в ОЗУ может использоваться для хранения INTCON2 перед очисткой GIE. Используйте следующую последовательность для отключения прерываний:

1. Поместите INTCON2 в стек.
2. Очистить бит GIE.
3. Два NOP или запись в NVMKEY.
4. Запустите цикл программирования, установив бит WR (NVMCON[15]).
5. Восстановите состояние GIE с помощью POP INTCON2.

Адресные регистры NVM
Два адресных регистра NVM, NVMADRU и NVMADR, при объединении образуют 24-битный EA выбранной строки или слова для операций программирования. Регистр NVMADRU используется для хранения старших восьми битов EA, а регистр NVMADR используется для хранения младших 16 бит EA. Некоторые устройства могут обращаться к этим же регистрам как к NVMADRL и NVMADRH. Регистры адреса NVM всегда должны указывать на границу двойного командного слова при выполнении операции программирования с двойным командным словом, границу строки при выполнении операции программирования строки или границу страницы при выполнении операции стирания страницы.

Регистр 3-1: NVMCON: регистр управления флэш-памятью

Примечание

1. Этот бит может быть сброшен (т. е. очищен) только при сбросе при включении питания (POR).
2. При выходе из режима ожидания существует задержка включения питания (TVREG), прежде чем флэш-память программ начнет работать. Дополнительную информацию см. в главе «Электрические характеристики» в паспорте конкретного устройства.
3. Все остальные комбинации NVMOP[3:0] не реализованы.
4. Эта функция доступна не на всех устройствах. Информацию о доступных операциях см. в главе «Флэш-память программ» в технических характеристиках конкретного устройства.
5. Переход в режим энергосбережения после выполнения инструкции PWRSAV зависит от завершения всех ожидающих операций NVM.
6. Этот бит доступен только на устройствах, поддерживающих программирование строк с буферизацией в ОЗУ. Информацию о наличии см. в технических характеристиках конкретного устройства.

Примечание

1. Этот бит может быть сброшен (т. е. очищен) только при сбросе при включении питания (POR).
2. При выходе из режима ожидания существует задержка включения питания (TVREG), прежде чем флэш-память программ начнет работать. Дополнительную информацию см. в главе «Электрические характеристики» в паспорте конкретного устройства.
3. Все остальные комбинации NVMOP[3:0] не реализованы.
4. Эта функция доступна не на всех устройствах. Информацию о доступных операциях см. в главе «Флэш-память программ» в технических характеристиках конкретного устройства.
5. Переход в режим энергосбережения после выполнения инструкции PWRSAV зависит от завершения всех ожидающих операций NVM.
6. Этот бит доступен только на устройствах, поддерживающих программирование строк с буферизацией в ОЗУ. Информацию о наличии см. в технических характеристиках конкретного устройства.

Регистр 3-2: NVMADRU: регистр старшего адреса энергонезависимой памяти

Регистр 3-3: NVMADR: Регистр адреса энергонезависимой памяти

Регистры 3-4: NVMKEY: Регистр ключа энергонезависимой памяти

САМОПРОГРАММИРОВАНИЕ ВО ВРЕМЯ РАБОТЫ (RTSP)

RTSP позволяет пользовательскому приложению изменять содержимое флэш-памяти программ. RTSP выполняется с помощью инструкций TBLRD (чтение таблицы) и TBLWT (запись таблицы), регистра TBLPAG и регистров управления NVM. С помощью RTSP пользовательское приложение может стереть одну страницу флэш-памяти и запрограммировать либо два командных слова, либо до 128 командных слов на определенных устройствах.

RTSP-операция
Массив флэш-памяти программ dsPIC33/PIC24 организован в виде страниц стирания, которые могут содержать до 1024 инструкций. Опция программирования двойных слов доступна во всех устройствах семейства dsPIC33/PIC24. Кроме того, некоторые устройства имеют возможность программирования строк, что позволяет запрограммировать до 128 командных слов за раз. Операции программирования и стирания всегда происходят на четных двойных словах программирования, границах строк или страниц. Информацию о наличии и размерах строки программирования, а также о размере страницы для стирания см. в главе «Флэш-память программ» в технических характеристиках конкретного устройства. Во флэш-памяти программ реализованы буферы хранения, называемые защелками записи, которые могут содержать до 128 инструкций программных данных в зависимости от устройства. Перед фактической операцией программирования данные записи должны быть загружены в защелки записи. Базовая последовательность для RTSP состоит в том, чтобы настроить указатель таблицы, регистр TBLPAG, а затем выполнить серию инструкций TBLWT для загрузки защелок записи. Программирование выполняется установкой управляющих битов в регистре NVMCON. Количество инструкций TBLWTL и TBLWTH, необходимых для загрузки защелок записи, равно количеству записываемых слов программы.

Примечание: Рекомендуется сохранять регистр TBLPAG перед модификацией и восстанавливать после использования.

ОСТОРОЖНОСТЬ
На некоторых устройствах биты конфигурации хранятся на последней странице пользовательской флэш-памяти программы в разделе «Байты конфигурации флэш-памяти». В этих устройствах выполнение операции стирания страницы на последней странице памяти программ стирает байты конфигурации флэш-памяти, что обеспечивает защиту кода. Поэтому пользователям не следует выполнять операции стирания страниц на последней странице памяти программ. Это не проблема, когда биты конфигурации хранятся в пространстве памяти конфигурации в разделе, называемом «Регистры конфигурации устройства». Обратитесь к карте памяти программ в главе «Организация памяти» листа технических данных конкретного устройства, чтобы определить, где расположены биты конфигурации.

Операции программирования флэш-памяти
Операция программирования или стирания необходима для программирования или стирания внутренней флэш-памяти программ в режиме RTSP. Устройство автоматически синхронизирует операцию программирования или стирания (информацию о времени см. в технических характеристиках конкретного устройства). Установка бита WR (NVMCON[15]) запускает операцию. Бит WR автоматически сбрасывается после завершения операции. Процессор останавливается до завершения операции программирования. В это время ЦП не будет выполнять никаких инструкций и не будет реагировать на прерывания. Если во время цикла программирования возникнут какие-либо прерывания, они останутся в состоянии ожидания, пока цикл не завершится. Некоторые устройства dsPIC33/PIC24 могут иметь дополнительную флэш-память для программ (подробности см. в главе «Организация памяти» в описании конкретного устройства), что позволяет выполнять инструкции без остановки ЦП, пока пользовательская флэш-память программ стирается и/или программируется. И наоборот, вспомогательная флэш-память программ может быть запрограммирована без остановки процессора, если код выполняется из пользовательской флэш-памяти программ. Прерывание NVM может использоваться для индикации завершения операции программирования.

Примечание

1. Если событие POR или BOR происходит во время выполнения операции стирания или программирования RTSP, операция RTSP немедленно прерывается. Пользователь должен снова выполнить операцию RTSP после того, как устройство выйдет из режима сброса.
2. Если событие сброса EXTR, SWR, WDTO, TRAPR, CM или IOPUWR происходит во время выполнения операции стирания или программирования RTSP, устройство будет сброшено только после завершения операции RTSP.

АЛГОРИТМ ПРОГРАММИРОВАНИЯ RTSP
В этом разделе описывается программирование RTSP, состоящее из трех основных процессов.

Создание образа в ОЗУ страницы данных, которую необходимо изменить
Выполните эти два шага, чтобы создать в ОЗУ образ страницы данных, которую необходимо изменить:

1. Прочитайте страницу флэш-памяти программ и сохраните ее в ОЗУ данных как «образ» данных. Образ RAM должен быть прочитан, начиная с границы адреса страницы.
2. При необходимости измените образ данных RAM.

Очистка флэш-памяти программ
После выполнения шагов 1 и 2, описанных выше, выполните следующие четыре шага, чтобы стереть страницу флэш-памяти программ:

1. Установите биты NVMOP[3:0] (NVMCON[3:0]), чтобы стереть страницу флэш-памяти программ, считанную с шага 1.
2. Запишите начальный адрес стираемой страницы в регистры NVMADRU и NMVADR.
3. С отключенными прерываниями:
   • a) Запишите последовательность клавиш в регистр NVMKEY, чтобы включить установку бита WR (NVMCON[15]).
   • b) Установите бит WR; это запустит цикл стирания.
   • c) Выполните две инструкции NOP.
4. Бит WR очищается, когда цикл стирания завершен.

Программирование страницы флэш-памяти
Следующей частью процесса является программирование страницы флэш-памяти. Страница флэш-памяти программируется с использованием данных из образа, созданного на шаге 1. Данные передаются в защелки записи с шагом либо в двойные командные слова, либо в строки. Все устройства имеют возможность программирования с двойным командным словом. (См. главу «Флэш-память программ» в технических характеристиках конкретного устройства, чтобы определить, доступно ли и какой тип программирования строк.) После загрузки защелок записи инициируется операция программирования, при которой данные передаются из записать защелки во флэш-память. Это повторяется до тех пор, пока вся страница не будет запрограммирована. Повторяйте следующие три шага, начиная с первого командного слова страницы флэш-памяти и увеличивая шагами либо двойные программные слова, либо строки инструкций, пока не будет запрограммирована вся страница:

1. Загрузите защелки записи:
   • a) Установите регистр TBLPAG так, чтобы он указывал на расположение защелок записи.
   • b) Загрузите нужное количество защелок, используя пары инструкций TBLWTL и TBLWTH:
   • Для программирования двойных слов требуются две пары инструкций TBLWTL и TBLWTH.
   • Для программирования строки требуется пара инструкций TBLWTL и TBLWTH для каждого элемента строки командного слова.
2. Запустите операцию программирования:
   • a) Установите биты NVMOP[3:0] (NVMCON[3:0]) для программирования либо двойных командных слов, либо строки команд, в зависимости от ситуации.
     б) Запишите первый адрес двойного командного слова или командной строки, которые необходимо запрограммировать, в регистры NVMADRU и NVMADR.
     c) С отключенными прерываниями:
     • Запишите последовательность клавиш в регистр NVMKEY, чтобы разрешить установку бита WR (NVMCON[15]).
     • Установить бит WR; это запустит цикл стирания
     • Выполнить две инструкции NOP
3. Бит WR очищается, когда цикл программирования завершен.

Повторите весь процесс по мере необходимости, чтобы запрограммировать желаемый объем флэш-памяти программ.

Примечание

1. Пользователь должен помнить, что минимальный объем флэш-памяти программ, который можно стереть с помощью RTSP, — это одна стираемая страница. Поэтому важно, чтобы образ этих местоположений был сохранен в ОЗУ общего назначения до того, как будет инициирован цикл стирания.
2. Строка или слово во флэш-памяти программ не должны быть запрограммированы более двух раз, прежде чем будут стерты.
3. На устройствах с байтами конфигурации, хранящимися на последней странице флэш-памяти, выполнение операции стирания страницы на последней странице памяти программ очищает байты конфигурации, что обеспечивает защиту кода. На этих устройствах последняя страница флэш-памяти не должна стираться.

УДАЛЕНИЕ ОДНОЙ СТРАНИЦЫ FLASH
Кодовая последовательность, показанная в упр.ample 4-1 можно использовать для стирания страницы флэш-памяти программ. Регистр NVMCON настроен на стирание одной страницы памяти программ. В регистры NVMADR и NMVADRU загружается начальный адрес страницы, которую необходимо стереть. Память программы должна быть стерта на «четной» границе адреса страницы. См. главу «Флэш-память программ» в описании конкретного устройства, чтобы определить размер страницы флэш-памяти.
Операция стирания инициируется записью специальной разблокировки или последовательности клавиш в регистр NVMKEY перед установкой бита WR (NVMCON[15]). Последовательность разблокировки должна выполняться в точном порядке, как показано в упр.ampле 4-1, без перерыва; следовательно, прерывания должны быть запрещены.
Две инструкции NOP должны быть вставлены в код после цикла стирания. На некоторых устройствах биты конфигурации хранятся на последней странице флэш-памяти программы. В этих устройствах выполнение операции стирания страницы на последней странице памяти программ стирает байты конфигурации флэш-памяти, в результате чего обеспечивается защита кода. Пользователям не следует выполнять операции стирания страниц на последней странице памяти программ.

ЗАГРУЗКА ЗАЩЕЛОК ЗАПИСИ
Защелки записи используются в качестве механизма хранения между записью таблицы пользовательского приложения и фактической последовательностью программирования. Во время операции программирования устройство будет передавать данные из защелок записи во флэш-память. Для устройств, поддерживающих программирование строк, Example 4-3 показывает последовательность инструкций, которые можно использовать для загрузки 128 защелок записи (128 командных слов). 128 инструкций TBLWTL и 128 TBLWTH необходимы для загрузки защелок записи для программирования строки флэш-памяти программ. См. главу «Флэш-память программ» в описании конкретного устройства, чтобы определить количество программных защелок, доступных на вашем устройстве. Для устройств, не поддерживающих программирование строк, Example 4-4 показывает последовательность инструкций, которые можно использовать для загрузки двух защелок записи (два командных слова). Две инструкции TBLWTL и две инструкции TBLWTH необходимы для загрузки защелок записи.

Примечание

1. Код для Load_Write_Latch_Row показан в примереample 4-3, а код для Load_Write_Latch_Word показан в упр.ampле 4-4. Код в обоих этих examples упоминается в последующем упр.ampлес.
2. Количество защелок указано в листе технических данных конкретного устройства.

ОДНОРЯДНОЕ ПРОГРАММИРОВАНИЕ EXAMPLE
Регистр NVMCON настроен на программирование одной строки флэш-памяти программ. Работа программы инициируется записью специальной разблокировки или последовательности клавиш в регистр NVMKEY перед установкой бита WR (NVMCON[15]). Последовательность разблокировки должна выполняться без перерыва и в точном порядке, как показано в упр.ampле 4-5. Следовательно, прерывания должны быть отключены до записи последовательности.

Примечание: Не все устройства имеют возможность программирования строк. См. главу «Флэш-память программ» в описании конкретного устройства, чтобы определить, доступна ли эта опция.

Две инструкции NOP должны быть вставлены в код после цикла программирования.

ПРОГРАММИРОВАНИЕ РЯДА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ RAM БУФЕРА
Некоторые устройства dsPIC33 позволяют выполнять программирование строк непосредственно из буферного пространства в ОЗУ данных, а не через фиксирующие защелки для передачи данных с инструкциями TBLWT. Расположение буфера ОЗУ определяется регистром (регистрами) NVMSRCADR, в которые загружаются адреса ОЗУ данных, содержащие первое слово записываемых данных программы.

Перед выполнением программной операции буферное пространство в ОЗУ должно быть загружено строкой данных, которые необходимо запрограммировать. Оперативная память может быть загружена как в сжатом (упакованном), так и в несжатом формате. Сжатое хранилище использует одно слово данных для хранения старших байтов (MSB) двух соседних слов данных программы. В несжатом формате для каждого слова данных программы используются два слова данных, при этом старший байт каждого второго слова равен 00h. Сжатый формат использует около 3/4 места в ОЗУ данных по сравнению с несжатым форматом. Несжатый формат, с другой стороны, имитирует структуру 24-битного слова данных программы, дополненного старшим фиктивным байтом. Формат данных выбирается битом RPDF (NVMCON[9]). Эти два формата показаны на рис. 4-1.

После загрузки буфера ОЗУ указатели адресов флэш-памяти, NVMADR и NVMADRU, загружаются с 24-битным начальным адресом записываемой строки флэш-памяти. Как и при программировании защелок записи, процесс инициируется записью последовательности разблокировки NVM с последующей установкой бита WR. После запуска устройство автоматически загружает правильные защелки и увеличивает адресные регистры NVM до тех пор, пока не будут запрограммированы все байты. Бывшийampле 4-7 показывает бывшийampле процесса. Если для NVMSRCADR задано значение, при котором возникает состояние ошибки недополнения данных, бит URERR (NVMCON[8]) будет установлен для указания условия.
Устройства, которые реализуют программирование строки буфера RAM, также реализуют одну или две защелки записи. Они загружаются с помощью инструкций TBLWT и используются для выполнения операций программирования слов.

ПРОГРАММИРОВАНИЕ В СЛОВЕ
Регистр NVMCON сконфигурирован для программирования двух командных слов флэш-памяти программ. Работа программы инициируется записью специальной разблокировки или последовательности клавиш в регистр NVMKEY перед установкой бита WR (NVMCON[15]). Последовательность разблокировки должна выполняться в точном порядке, как показано в упр.ampле 4-8, без перерыва. Следовательно, прерывания должны быть отключены до записи последовательности.
Две инструкции NOP должны быть вставлены в код после цикла программирования.

Запись в регистры конфигурации устройства
На некоторых устройствах биты конфигурации хранятся в пространстве памяти конфигурации в разделе «Регистры конфигурации устройства». На других устройствах биты конфигурации хранятся на последней странице пространства пользовательской флэш-памяти программы в разделе под названием «Байты конфигурации флэш-памяти». В этих устройствах выполнение операции стирания страницы на последней странице памяти программ стирает байты конфигурации флэш-памяти, что обеспечивает защиту кода. Поэтому пользователям не следует выполнять операции стирания страниц на последней странице памяти программ. Обратитесь к карте памяти программ в главе «Организация памяти» листа технических данных конкретного устройства, чтобы определить, где расположены биты конфигурации.

Когда биты конфигурации хранятся в пространстве памяти конфигурации, RTSP можно использовать для записи в регистры конфигурации устройства, а RTSP позволяет индивидуально перезаписывать каждый регистр конфигурации без предварительного выполнения цикла стирания. Следует соблюдать осторожность при записи регистров конфигурации, поскольку они контролируют критические рабочие параметры устройства, такие как источник системных часов, включение PLL и WDT.

Процедура программирования регистра конфигурации устройства аналогична процедуре программирования флэш-памяти программ, за исключением того, что требуются только инструкции TBLWTL. Это связано с тем, что старшие восемь битов в каждом регистре конфигурации устройства не используются. Кроме того, бит 23 адреса записи таблицы должен быть установлен для доступа к регистрам конфигурации. Полное описание регистров конфигурации устройства см. в разделе «Конфигурация устройства» (DS70000618) в «Справочном руководстве по семейству dsPIC33/PIC24» и в главе «Специальные функции» в описании конкретного устройства.

Примечание

1. Запись в регистры конфигурации устройства доступна не на всех устройствах. См. главу «Специальные функции» в спецификации конкретного устройства, чтобы определить доступные режимы в соответствии с определением битов NVMOP[3:0] конкретного устройства.
2. При выполнении RTSP в регистрах конфигурации устройства устройство должно работать с использованием внутреннего генератора FRC (без PLL). Если устройство работает от другого источника синхронизации, перед выполнением операции RTSP в регистрах конфигурации устройства необходимо выполнить переключение часов на внутренний генератор FRC (NOSC[2:0] = 000).
3. Если биты выбора режима основного генератора (POSCMD[1:0]) в регистре конфигурации генератора (FOSC) перепрограммируются на новое значение, пользователь должен убедиться, что биты режима переключения тактового генератора (FCKSM[1:0]) в регистр FOSC имеет начальное запрограммированное значение «0» до выполнения этой операции RTSP.

АЛГОРИТМ ЗАПИСИ РЕГИСТРА КОНФИГУРАЦИИ
Общая процедура выглядит следующим образом:

1. Запишите новое значение конфигурации в защелку записи таблицы с помощью инструкции TBLWTL.
2. Настройте NVMCON для записи регистра конфигурации (NVMCON = 0x4000).
3. Запишите адрес регистра конфигурации, который необходимо запрограммировать, в регистры NVMADRU и NVMADR.
4. Отключите прерывания, если они включены.
5. Запишите последовательность ключей в регистр NVMKEY.
6. Запустите последовательность записи, установив бит WR (NVMCON[15]).
7. Повторно включите прерывания, если это необходимо.

Example 4-10 показывает последовательность кода, которую можно использовать для изменения регистра конфигурации устройства.

ЗАРЕГИСТРИРОВАТЬ КАРТУ

Сводка регистров, связанных с программированием во флэш-памяти, представлена ​​в таблице 5-1.

СВЯЗАННЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ ПО ПРИМЕНЕНИЮ

В этом разделе перечислены примечания по применению, относящиеся к этому разделу руководства. Эти примечания по применению не могут быть написаны специально для семейств продуктов dsPIC33/PIC24, но концепции являются уместными и могут использоваться с изменениями и возможными ограничениями. Текущие примечания по применению, связанные с программированием Flash:

Примечание: Пожалуйста, посетите микрочип webсайт (www.microchip.com) для дополнительных примечаний по применению и кода exampфайлы для семейств устройств dsPIC33/PIC24.

ИСТОРИЯ ПЕРЕСМОТРОВ

Редакция А (август 2009 г.)
Это первая выпущенная версия этого документа.

Редакция B (февраль 2011 г.)
Эта версия включает следующие обновления:

• Exampле:
  • Удален бывшийampле 5-3 и Exampле 5-4
  • Обновленный эксampле 4-1, отл.ampле 4-5 и Exampле 4-10
  • Все ссылки на #WR были обновлены до #15 в Ex.ampле 4-1, отл.ampле 4-5 и Exampле 4-8
  • Обновлено следующее в Exampле 4-3:
• Обновлен заголовок «Программирование Word» на «Загрузка защелок записи для программирования строк».
• Любая ссылка на #ram_image была обновлена ​​до #0xFA.
  • Добавлен Exampле 4-4
  • Обновлен заголовок в Exampле 4-8
• Примечания:
  • Добавлены два примечания в Раздел 4.2 «Операции программирования Flash».
  • Обновлено примечание в разделе 4.5.2 «Загрузка защелок записи».
  • Добавлены три примечания в Раздел 4.6 «Запись в регистры конфигурации устройства».
  • Добавлено примечание 1 в Таблицу 5-1.
• Регистры:
  • Обновлены значения битов для NVMOP[3:0]: биты выбора операций NVM в регистре управления флэш-памятью (NVMCON) (см. Регистр 3-1).
• Разделы:
  • Удалены разделы 5.2.1.4 «Режим записи слова» и 5.2.1.5 «Режим записи байта».
  • Обновлен раздел 3.0 «Регистры управления»
  • Обновлено следующее в Разделе 4.5.5 «Программирование Word»:
• Название раздела «Программирование одного слова флэш-памяти» изменено на «Программирование слова».
• Обновил первый абзац
• Изменены термины «одно слово» на «пара слов» во втором абзаце.
  • Добавлен новый шаг 1 в раздел 4.6.1 «Алгоритм записи регистра конфигурации».
• Таблицы:
  • Обновленная таблица 5-1
• Несколько ссылок на программную память были обновлены до флэш-памяти программ.
• Другие незначительные обновления, такие как обновления языка и форматирования, были включены в документ.

Редакция C (июнь 2011 г.)
Эта версия включает следующие обновления:

• Exampле:
  • Обновленный эксampле 4-1
  • Обновленный эксampле 4-8
• Примечания:
  • Добавлено примечание в Раздел 4.1 «Операция RTSP».
  • Добавлено примечание 3 в раздел 4.2 «Операции программирования флэш-памяти».
  • Добавлено примечание 3 в раздел 4.2.1 «Алгоритм программирования RTSP».
  • Добавлено примечание в Раздел 4.5.1 «Стирание одной страницы флэш-памяти».
  • Добавлено примечание 2 в раздел 4.5.2 «Загрузка защелок записи».
• Регистры:
  • Обновлено описание битов 15-0 в регистре адреса энергонезависимой памяти (см. регистр 3-3).
• Разделы:
  • Обновлен раздел 4.1 «Работа RTSP»
  • Обновлен раздел 4.5.5 «Программирование Word».
• Другие незначительные обновления, такие как обновления языка и форматирования, были включены в документ.

Редакция D (декабрь 2011 г.)
Эта версия включает следующие обновления:

• Обновлен раздел 2.1.3 «Защелки записи таблицы».
• Обновлен раздел 3.2 «Регистрация NVMKEY».
• Обновлены примечания в NVMCON: регистр управления флэш-памятью (см. регистр 3-1).
• Обширные обновления были внесены в раздел 4.0 «Самопрограммирование во время выполнения (RTSP)».
• Другие незначительные обновления, такие как обновления языка и форматирования, были включены в документ.

Редакция E (октябрь 2018 г.)
Эта версия включает следующие обновления:

• Добавлен Exampле 2-2, отл.ampле 4-2, отл.ampле 4-6 и Exampле 4-9
• Добавлен раздел 4.5.4 «Программирование строк с использованием буфера RAM»
• Обновлен раздел 1.0 «Введение», раздел 3.3 «Адресные регистры NVM», раздел 4.0 «Самопрограммирование во время выполнения (RTSP)» и раздел 4.5.3 «Программирование одной строки».ampле »
• Обновленный реестр 3-1
• Обновленный эксampле 4-7
• Обновленная таблица 5-1

Редакция F (ноябрь 2021 г.)
Добавлен раздел 3.2.1 «Отключение прерываний».
Обновленный эксampле 3-1, отл.ampле 4-1, отл.ampле 4-2, отл.ampле 4-5, отл.ampле 4-6, отл.ampле 4-7, отл.ampле 4-8, отл.ampле 4-9 и Exampле 4-10.
Обновлен раздел 3.2 «Регистр NVMKEY», раздел 4.5.1 «Стирание одной страницы флэш-памяти», раздел 4.5.3 «Программирование одной строки Ex».ample» и Раздел 4.6.1 «Алгоритм записи регистра конфигурации».

Обратите внимание на следующие сведения о функции защиты кода на продуктах Microchip:

• Продукция Microchip соответствует спецификациям, содержащимся в соответствующем паспорте Microchip.
• Компания Microchip уверена, что ее семейство продуктов безопасно при использовании по назначению, в соответствии с эксплуатационными спецификациями и в нормальных условиях.
• Microchip ценит и активно защищает свои права на интеллектуальную собственность. Попытки нарушить функции защиты кода продукта Microchip строго запрещены и могут нарушать Закон об авторском праве в цифровую эпоху.
• Ни Microchip, ни любой другой производитель полупроводников не может гарантировать безопасность своего кода. Защита кода не означает, что мы гарантируем «неуязвимость» продукта. Защита кода постоянно развивается. Microchip стремится постоянно улучшать функции защиты кода наших продуктов.

Эта публикация и содержащаяся в ней информация могут использоваться только с продуктами Microchip, в том числе для разработки, тестирования и интеграции продуктов Microchip с вашим приложением. Использование этой информации каким-либо иным образом нарушает настоящие условия. Информация о приложениях для устройств предоставляется только для вашего удобства и может быть заменена обновлениями. Вы несете ответственность за то, чтобы ваше приложение соответствовало вашим спецификациям. Обратитесь в местный офис продаж Microchip за дополнительной поддержкой или получите дополнительную поддержку по адресу https://www.microchip.com/en-us/support/design-help/client-supportservices.

ЭТА ИНФОРМАЦИЯ ПРЕДОСТАВЛЯЕТСЯ КОМПАНИЕЙ MICROCHIP «КАК ЕСТЬ». КОМПАНИЯ MICROCHIP НЕ ДАЕТ НИКАКИХ ЗАЯВЛЕНИЙ ИЛИ ГАРАНТИЙ ЛЮБОГО РОДА, ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ, ПИСЬМЕННЫХ ИЛИ УСТНЫХ, ПРЕДУСМОТРЕННЫХ ЗАКОНОМ ИЛИ ИНЫМ ОБРАЗОМ, ОТНОСЯЩИХСЯ К ИНФОРМАЦИИ, ВКЛЮЧАЯ, ПОМИМО ПРОЧЕГО, ЛЮБЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ НЕНАРУШЕНИЯ ПРАВ, КОММЕРЧЕСКОЙ ПРИГОДНОСТИ И ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНЫХ ПОТРЕБНОСТЕЙ ИЛИ ЦЕЛИ. ЕЕ СОСТОЯНИЕ, КАЧЕСТВО ИЛИ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ. НИ ПРИ КАКИХ ОБСТОЯТЕЛЬСТВАХ КОМПАНИЯ MICROCHIP НЕ НЕСЕТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ЗА КАКИЕ-ЛИБО КОСВЕННЫЕ, СПЕЦИАЛЬНЫЕ, ШТРАФНЫЕ, СЛУЧАЙНЫЕ ИЛИ КОСВЕННЫЕ УБЫТКИ, УЩЕРБ, ЗАТРАТЫ ИЛИ РАСХОДЫ ЛЮБОГО РОДА, СВЯЗАННЫЕ С ИНФОРМАЦИЕЙ ИЛИ ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ, КАКИМ-ЛИБО ПРИЧИНЕНИЕМ, ДАЖЕ ЕСЛИ КОМПАНИЯ MICROCHIP БЫЛА УВЕДОМЛЕНА О ВОЗМОЖНОСТЬ ИЛИ УЩЕРБ ПРЕДСКАЗУЕМЫ. В ПОЛНОЙ СТЕПЕНИ, ДОПУСКАЕМОЙ ЗАКОНОМ, ПОЛНАЯ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ КОМПАНИИ MICROCHIP ПО ВСЕМ ПРЕТЕНЗИЯМ, КАКИМ-ЛИБО ОБРАЗОМ СВЯЗАННЫМ С ИНФОРМАЦИЕЙ ИЛИ ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ, НЕ БУДЕТ ПРЕВЫШАТЬ СУММУ СБОРОВ, КОТОРЫЕ ВЫ УПЛАТИЛИ НЕПОСРЕДСТВЕННО КОМПАНИИ MICROCHIP ЗА ИНФОРМАЦИЮ.

Использование устройств Microchip в системах жизнеобеспечения и/или безопасности полностью на риск покупателя, и покупатель соглашается защищать, возмещать убытки и ограждать Microchip от любых убытков, претензий, исков или расходов, возникающих в результате такого использования. Никакие лицензии не передаются, подразумеваемые или иным образом, в соответствии с любыми правами интеллектуальной собственности Microchip, если не указано иное.

Информацию о системах управления качеством Microchip можно найти на сайте www.микрочип.com/качество.

Торговые марки

Название и логотип Microchip, логотип Microchip, Adaptec, AnyRate, AVR, логотип AVR, AVR Freaks, BesTime, BitCloud, CryptoMemory, CryptoRF, dsPIC, flexPWR, HELDO, IGLOO, JukeBlox, KeeLoq, Kleer, LANCheck, LinkMD, maXStylus, maXTouch, MediaLB, megaAVR, Microsemi, логотип Microsemi, MOST, логотип MOST, MPLAB, OptoLyzer, PIC, picoPower, PICSTART, логотип PIC32, PolarFire, Prochip Designer, QTouch, SAM-BA, SenGenuity, SpyNIC, SST, логотип SST, SuperFlash , Symmetricom, SyncServer, Tachyon, TimeSource, tinyAVR, UNI/O, Vectron и XMEGA являются зарегистрированными товарными знаками Microchip Technology Incorporated в США и других странах. AgileSwitch, APT, ClockWorks, The Embedded Control Solutions Company, EtherSynch, Flashtec, Hyper Speed ​​Control, HyperLight Load, IntelliMOS, Libero, motorBench, mTouch, Powermite 3, Precision Edge, ProASIC, ProASIC Plus, логотип ProASIC Plus, QuietWire, SmartFusion, SyncWorld, Temux, TimeCesium, TimeHub, TimePictra, TimeProvider, TrueTime, WinPath и ZL являются зарегистрированными товарными знаками Microchip Technology Incorporated в США.

Подавление соседних ключей, AKS, Аналоговая для цифровой эпохи, Любой конденсатор, AnyIn, AnyOut, Расширенное переключение, BlueSky, BodyCom, CodeGuard, CryptoAuthentication, CryptoAutomotive, CryptoCompanion, CryptoController, dsPICDEM, dsPICDEM.net, динамическое сопоставление средних значений, DAM , ECAN, Espresso T1S, EtherGREEN, GridTime, IdealBridge, внутрисхемное последовательное программирование, ICSP, INICnet, интеллектуальное распараллеливание, межчиповое соединение, JitterBlocker, Knob-on-Display, maxCrypto, maxView, memBrain, Mindi, MiWi, MPASM, MPF, сертифицированный логотип MPLAB, MPLIB, MPLINK, MultiTRAK, NetDetach, NVM Express, NVMe, Omniscient Code Generation, PICDEM, PICDEM.net, PICkit, PICtail, PowerSmart, PureSilicon, QMatrix, REAL ICE , Блокировка пульсаций, RTAX, RTG4, SAM-ICE, Serial Quad I/O, simpleMAP, SimpliPHY, SmartBuffer, SmartHLS, SMART-IS, storClad, SQI, SuperSwitcher, SuperSwitcher II, Switchtec, SynchroPHY, Total Endurance, TSHARC, USBCheck, VariSense, VectorBlox, VeriPHY, ViewSpan, WiperLock, XpressConnect и ZENA являются товарными знаками Microchip Technology Incorporated в США и других странах.

SQTP — знак обслуживания Microchip Technology Incorporated в США.
Логотип Adaptec, Frequency on Demand, Silicon Storage Technology, Symmcom и Trusted Time являются зарегистрированными товарными знаками Microchip Technology Inc. в других странах.
GestIC является зарегистрированной торговой маркой Microchip Technology Germany II GmbH & Co. KG, дочерней компании Microchip Technology Inc., в других странах.
Все остальные товарные знаки, упомянутые здесь, являются собственностью соответствующих компаний.
© 2009-2021, Microchip Technology Incorporated и ее дочерние компании.
Все права защищены.
ISBN: 978-1-5224-9314-3

Продажи и обслуживание по всему миру

АМЕРИКА

• Корпоративный офис
  2355 бульвар Вест Чендлер.
  Чандлер, AZ 85224-6199
  Тел: 480-792-7200
  Факс: 480-792-7277
  Техническая поддержка: http://www.microchip.com/
  поддерживать Web Адрес: www.microchip.com
• Атланта
  Дулут, Джорджия
  Тел: 678-957-9614
  Факс: 678-957-1455
• Остин, Техас
  Тел: 512-257-3370
• Бостон
  Уэстборо, Массачусетс
  Тел: 774-760-0087
  Факс: 774-760-0088
• Чикаго
  Итаска, Иллинойс
  Тел: 630-285-0071
  Факс: 630-285-0075
• Даллас
  Addison, TX
  Тел: 972-818-7423
  Факс: 972-818-2924
• Детройт
  Нови, Мичиган
  Тел: 248-848-4000
• Хьюстон, Техас
  Тел: 281-894-5983
• Индианаполис
  Ноблсвилл, Индиана
  Тел: 317-773-8323
  Факс: 317-773-5453
  Тел: 317-536-2380
• Лос-Анджелес
  Мишн Вьехо, Калифорния
  Тел: 949-462-9523
  Факс: 949-462-9608
  Тел: 951-273-7800
• Роли, Северная Каролина
  Тел: 919-844-7510
• Нью-Йорк, Нью-Йорк
  Тел: 631-435-6000
• Сан-Хосе, Калифорния
  Тел: 408-735-9110
  Тел: 408-436-4270
• Канада – Торонто
  Тел: 905-695-1980
  Факс: 905-695-2078

АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКИЙ РЕГИОН

• Австралия – Сидней
  Тел: 61-2-9868-6733
• Китай – Пекин
  Тел: 86-10-8569-7000
• Китай – Чэнду
  Тел: 86-28-8665-5511
• Китай – Чунцин
  Тел: 86-23-8980-9588
• Китай – Дунгуань
  Тел: 86-769-8702-9880
• Китай – Гуанчжоу
  Тел: 86-20-8755-8029
• Китай – Ханчжоу
  Тел: 86-571-8792-8115
• Китай – САР Гонконг
  Тел: 852-2943-5100
• Китай – Нанкин
  Тел: 86-25-8473-2460
• Китай – Циндао
  Тел: 86-532-8502-7355
• Китай – Шанхай
  Тел: 86-21-3326-8000
• Китай – Шэньян
  Тел: 86-24-2334-2829
• Китай – Шэньчжэнь
  Тел: 86-755-8864-2200
• Китай – Сучжоу
  Тел: 86-186-6233-1526
• Китай – Ухань
  Тел: 86-27-5980-5300
• Китай – Сиань
  Тел: 86-29-8833-7252
• Китай – Сямэнь
  Тел: 86-592-2388138
• Китай – Чжухай
  Тел: 86-756-3210040
• Индия – Бангалор
  Тел: 91-80-3090-4444
• Индия – Нью-Дели
  Тел: 91-11-4160-8631
• Индия - Пуна
  Тел: 91-20-4121-0141
• Япония – Осака
  Тел: 81-6-6152-7160
• Япония – Токио
  Тел: 81-3-6880- 3770
• Корея – Тэгу
  Тел: 82-53-744-4301
• Корея – Сеул
  Тел: 82-2-554-7200
• Малайзия – Куала-Лумпур
  Тел: 60-3-7651-7906
• Малайзия – Пенанг
  Тел: 60-4-227-8870
• Филиппины – Манила
  Тел: 63-2-634-9065
• Сингапур
  Тел: 65-6334-8870
• Тайвань – Синь Чу
  Тел: 886-3-577-8366
• Тайвань – Гаосюн
  Тел: 886-7-213-7830
• Тайвань – Тайбэй
  Тел: 886-2-2508-8600
• Таиланд – Бангкок
  Тел: 66-2-694-1351
• Вьетнам – Хошимин
  Тел: 84-28-5448-2100

ЕВРОПА

• Австрия – Вельс
  Тел: 43-7242-2244-39
  Факс: 43-7242-2244-393
• Дания – Копенгаген
  Тел: 45-4485-5910
  Факс: 45-4485-2829
• Финляндия – Эспоо
  Тел: 358-9-4520-820
• Франция – Париж
  Тел: 33-1-69-53-63-20
  Факс: 33-1-69-30-90-79
• Германия – Гархинг
  Тел: 49-8931-9700
• Германия – Хан
  Тел: 49-2129-3766400
• Германия – Хайльбронн
  Тел: 49-7131-72400
• Германия – Карлсруэ
  Тел: 49-721-625370
• Германия – Мюнхен
  Тел: 49-89-627-144-0
  Факс: 49-89-627-144-44
• Германия – Розенхайм
  Тел: 49-8031-354-560
• Италия – Милан
  Тел: 39-0331-742611
  Факс: 39-0331-466781
• Италия – Падуя
  Тел: 39-049-7625286
• Нидерланды – Друнен
  Тел: 31-416-690399
  Факс: 31-416-690340
• Норвегия – Тронхейм
  Тел: 47-7288-4388
• Польша – Варшава
  Тел: 48-22-3325737
• Румыния – Бухарест
  Тел: 40-21-407-87-50
• Испания - Мадрид
  Тел: 34-91-708-08-90
  Факс: 34-91-708-08-91
• Швеция – Гетеборг
  Тел: 46-31-704-60-40
• Швеция – Стокгольм
  Тел: 46-8-5090-4654
• Великобритания – Вокингем
  Тел: 44-118-921-5800
  Факс: 44-118-921-5820

Примечание:

Этот раздел справочного руководства по семейству предназначен для использования в качестве дополнения к описаниям устройств. В зависимости от варианта устройства этот раздел руководства может не относиться ко всем устройствам dsPIC33/PIC24. Обратитесь к примечанию в начале главы «Флэш-память программ» в техническом паспорте текущего устройства, чтобы проверить, поддерживает ли этот документ используемое вами устройство.
Спецификации устройств и разделы справочных руководств по семейству доступны для загрузки с веб-сайта Microchip Worldwide. Webсайт по адресу: http://www.microchip.com.

Документы/Ресурсы

	Программирование флэш-памяти MICROCHIP PIC24 [pdf] Руководство пользователя Программирование флэш-памяти PIC24, PIC24, программирование флэш-памяти, программирование
	Программирование флэш-памяти MICROCHIP PIC24 [pdf] Руководство пользователя Программирование флэш-памяти PIC24, PIC24, программирование флэш-памяти

Ссылки

• Руководство пользователя